.

    Snapdragon 835 будет первым 10-нм чипом Qualcomm

    | | просмотров: 81 |

    Snapdragon 835 будет первым 10-нм чипом Qualcomm

    Новый чип стал менее - производители телефонов смогут устанавливать более емкие аккумуляторы. Snapdragon 821 таким считать нельзя, так как это только очень скромное обновление, но не новый продукт. 835 заменит сегодняшние чипы Snapdragon 820/821. Как и в случае предшественницы, 1-ый анонс сугубо номинален.

    Компания Самсунг Electronics объявила о расширении сотрудничества в сфере микроэлектронного производства с Qualcomm Technologies, Inc. Производиться она будет по 10-нанометровой технологии FinFET. Snapdragon 835 будет создан на основе разработанного Самсунг техпроцесса в 10 нанометров, что даст возможность добиться существенного уменьшения размеров чипа и поднять работоспособность.

    Чипмейкер ждет появление первых устройств со Snapdragon 835 на борту в первой половине 2017 года.

    Переход на новый техпроцесс означает уменьшение площади микросхемы на 30%, а еще увеличение производительности на 27% либо (важно, что это именно «либо») уменьшение энергопотребления (вернее, тепловыделения, что в этом случае - практически одно и то же) на 40%. Как нетрудно додуматься, это будут флагманские мобильные телефоны, среди которых, очевидно, будет Самсунг Galaxy S8.



    commentsDisqus

    Добавление комментария

    Имя:*
    E-Mail:
    Комментарий:
    Полужирный Наклонный текст Подчеркнутый текст Зачеркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Вставка ссылкиВставка защищенной ссылки Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера
    Введите код: *
Scroll To Top